Fujitsu beginnt Massenproduktion von 4Mbit FRAM mit 125 Grad Celsius Betrieb gemäß Automotive Grade

PresseMitteilung von Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited



(ots) - Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited gab am 6. Juli den Beginn der Massenproduktion des 4Mbit FRAM MB85RS4MTY bekannt, der einen Betrieb bis 125 Grad Celsius garantiert.

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html

Fig.1: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI1fl_h51FrvTZ.jpg

FRAM ist ein nichtfl

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

Seit dem Start der Massenproduktion von FRAM-Produkten, die bis zu 125 Grad Celsius betrieben werden k

Fig.2: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI2fl_t1X1L7Vu.jpg

Der MB85RS4MTY erf"Automotive Grade", und eignet sich daher f

Fig.3: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI3fl_47S76y5J.jpg

Dieses FRAM mit SPI-Schnittstelle arbeitet mit einer breiten Versorgungsspannung von 1,8V bis 3,6V. Im Temperaturbereich von -40 bis +125 Grad C garantiert er 10 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten und einen geringen Betriebsstrom wie z.B. einen maximalen Schreibstrom von 4mA (betrieben bei 50MHz). Er ist in einem 8-poligen DFN-Geh

Die FRAM-Produkte k

Fig.4: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI4fl_m3l65auC.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited entwickelt weiterhin Speicherprodukte, um die Bed

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